ラピダス 2ナノ相当の半導体の基幹部品の試作成功Name名無し25/07/18(金)23:16:32 IP:106.166.*(dion.ne.jp)No.658051+
26年6月頃消えます
国の全面的な支援を受けて先端半導体の量産を目指すラピダスはことし4月から稼働を始めた北海道千歳市の工場で半導体の基幹部品の試作に成功したと発表しました。
ラピダスは、自動運転やAI＝人工知能などに欠かせない先端半導体の量産化を目指し、ことし4月に稼働させた千歳市の工場で試作に取り組んでいます。
ラピダスの小池淳義社長は18日、記者会見を開き、今月10日に半導体の基幹部品「トランジスター」の試作に成功したと発表しました。
ラピダスが量産を目指す非常に微細な「2ナノ」相当の先端半導体では、特殊な構造のトランジスターが必要で、国内で試作に成功したのは初めてだとしています。
小池社長は会見の中で「日本で初めて“2ナノ”のトランジスターの動作を確認できたのは記念すべきことだ。今後、試作を重ね、さらに性能を高めていく」と述べ、予定どおり再来年の量産開始を目指す方針を改めて示しました。